Согласно данным ETNews, первые образцы с примерно четырьмя вертикально объединенными слоями GDDR могут увидеть свет уже в будущем году. Подобная конструкция обеспечит рост общей ёмкости на один модуль, однако по производительности такие решения всё равно будут отставать от классических HBM-чипов. При этом новая технология может стать эффективным решением для этапа инференса в системах ИИ.
Раньше сектор GDDR не сталкивался с таким высоким спросом от ИИ-индустрии, как типы памяти LPDDR или DDR, поскольку в основном использовался в игровых графических процессорах. Теперь Micron планирует направлять свободные производственные мощности на корпоративный сегмент, а не на решение проблемы дефицита видеокарт для конечных пользователей.
Ранее фирма тестировала вертикальную интеграцию памяти LPDDR5X до 16 слоёв (16-Hi), достигая 256 ГБ на модуль. Однако GDDR-чипы имеют более жёсткие требования к теплоотводу и сохранению целостности сигнала. Micron может пойти на снижение тактовых частот для компенсации этих сложностей, но в любом случае проект демонстрирует активные инновационные усилия компании в области памяти.
Если данная технология подтвердит свою экономическую эффективность по сравнению с HBM, то модули объединённой GDDR могут стать новым направлением для всей отрасли и повлиять на распределение ресурсов памяти между сегментами ИИ-аппаратного обеспечения и игровых графических карт.