Кажется, производители микросхем ускоряют создание следующего поколения оперативных модулей — DDR6. По сведениям, опубликованным в кorea‑based издании The Elec и подтверждённым аналитиками, Samsung, SK hynix и Micron уже завершили фазу прототипов и перешли к раннему тестированию платформ подложек, активно разрабатывая новейшее решение.
Вероятнее всего первые устройства с поддержкой DDR6 появятся уже в 2027 году, но их внедрение будет постепенным, а полномасштабное распространение потребует несколько последующих лет.
Ключевые технические параметры нового стандарта, одобренные JEDEC, выглядят так:
- Стандартные скорости: 8800 МТ/с
- Пороговые (максимальные) скорости: до 17600 МТ/с
- Архитектура каналов: 4 × 24‑бит
Стандарт DDR6 обещает впечатляющий прирост производительности. По сравнению с DDR5 базовая частота (8800 МТ/с) вырастет более чем на 80 %, а верхний предел в 17600 МТ/с почти вдвое превысит способности современных наборов. Такой прирост станет возможным благодаря переходе к архитектуре из четырёх 24‑битных подканала (4×24‑bit), что повышает пропускную способность на 50 % относительно текущей схемы с двумя 32‑битными каналами. В итоге двухканальная конфигурация может обеспечить пропускную способность до 144 ГБ/с.
Планируемый график поставок:
- Конец 2026 – начало 2027: Завершение тестирования платформы и её валидации.
- Начало 2027: Появление первых серверов и ускорителей искусственного интеллекта, рассчитанных на DDR6.
- Конец 2027 – начало 2028: Выход в розницу потребительских платформ: процессоры для настольных ПК и ноутбуков, а также новые материнские платы.
Согласно прогнозам TrendForce и 3DCenter, к 2025 году DDR5 может занять более 80 % рынка серверов, а к 2027 год её доля может достичь около 90 %. Такое развитие освободит производственные линии от выпуска DDR4 и ускорит переход на новые стандарты.
Эти рекордные частоты требуют новых подходов в проектировании. Классический форм‑фактор DIMM сталкивается с ограничениями, связанными с целостностью сигнала. Именно поэтому переход на DDR6, скорее всего, будет сопровождаться внедрением формата CAMM2. Этот компактный и низкопрофильный модуль изначально создавался для ноутбуков, однако сейчас его рассматривают как основной вариант для высокопроизводительных систем.
Он обеспечивает повышенную целостность сигнала и более эффективное энергопотребление, что особенно важно при работе на высоких частотах, а также даёт возможность создавать более тонкие и компактные устройства.
DDR6 способит вычислительные системы достигнуть принципиально более высокой производительности, тогда как форм‑фактор CAMM2 со временем превратится в фактический стандарт. При этом, подобно ситуации с DDR5, нельзя ожидать мгновенного широкого распространения и доступных цен — на первых этапах её появления продукт будет премиум‑класса, ориентированным на серверы и рабочие станции.